潘桂忠，1959年毕业于南京大学物理学系半导体物理专业，高级工程师，研究生导师，贝岭微电子公司原技术工程部经理。从事LSI/VLSI设计、工艺技术、芯片结构、电路研制及IC生产长达50余年。
先后负责启动并运转三家单位（航天部771所、香港华科、上海贝岭）引进的LSI生产线，实现了大批量生产；开发并提高了各种工艺技术；研制并生产了各种LSI/VLSI。其中，上海贝岭LSI大批量生产获得成功并取得了很好的经济效益，邓小平等领导人曾来公司参观；航天部专用“MOSIC的设计和制造”获航天部三等功；“S1240电话交换机专用LSI制造、生产和国产化（国家引进重点项目）”分别获上海市优秀新产品成果一等奖、科学技术进步奖和国家科技进步三等奖。曾参与《超纯硅的制备和分析》与《世界IC发展趋势》的编译、《实用IC工艺手册》的编著；发表论文50余篇，并编著《MOS集成电路结构与制造技术》和《MOS集成电路工艺与制造技术》。

第1章 LSI/VLSI制造基本技术
1.1 基础工艺技术
1.1.1 基础工艺技术
1.1.2 工艺制程
1.1.3 工艺一体化
1.2 器件隔离技术
1.2.1 LOCOS隔离
1.2.2 浅槽隔离
1.2.3 PN结隔离
1.3 衬底与阱技术
1.3.1 CMOS工艺与阱的形成
1.3.2 可靠性与阱技术
1.3.3 外延与SOI衬底
1.4 栅与源、漏结的形成技术
1.4.1 栅工艺
1.4.2 源、漏结构的形成
1.4.3 漏极技术
1.5 接触的形成与多层布线技术
1.5.1 接触的形成
1.5.2 金属化系统
1.5.3 多层布线工艺与平坦化技术
1.6 BiCMOS技术
1.7 LV/HV兼容技术
1.7.1 LV/HV兼容CMOS
1.7.2 LV/HV兼容BiCMOS
1.7.3 LV/HV兼容BCD
1.8 MOS集成电路工艺设计
1.8.1 硅衬底参数设计
1.8.2 栅介质材料
1.8.3 栅电极材料
1.8.4 阈值电压设计
1.8.5 工艺参数设计
1.9 MOS集成电路设计与制造技术关系
1.9.1 芯片结构及其参数
1.9.2 芯片结构技术
1.9.3 芯片制造
第2章 单阱CMOS芯片与制程剖面结构
2.1 P-Well CMOS（A）
2.1.1 芯片平面/剖面结构
2.1.2 工艺技术
2.1.3 工艺制程
2.2 P-Well CMOS（B）
2.2.1 芯片剖面结构
2.2.2 工艺技术
2.2.3 工艺制程
2.3 P-Well CMOS（C）
2.3.1 芯片剖面结构
2.3.2 工艺技术
2.3.3 工艺制程
2.4 HV P-Well CMOS
2.4.1 芯片剖面结构
2.4.2 工艺技术
2.4.3 工艺制程
2.5 N-Well CMOS（A）
2.5.1 芯片平面/剖面结构
2.5.2 工艺技术
2.5.3 工艺制程
2.6 N-Well CMOS（B）
2.6.1 芯片剖面结构
2.6.2 工艺技术
2.6.3 工艺制程
2.7 N-Well CMOS（C）
2.7.1 芯片剖面结构
2.7.2 工艺技术
2.7.3 工艺制程
2.8 HV N-Well CMOS
2.8.1 芯片剖面结构
2.8.2 工艺技术
2.8.3 工艺制程
第3章 双阱CMOS芯片与制程剖面结构
第4章 LV/HV兼容CMOS芯片与制程剖面结构
第5章 BiCMOS芯片与制程剖面结构
第6章 LV/HV兼容BiCMOS芯片与制程剖面结构
第7章 LV/HV兼容BCD芯片与制程剖面结构
附录A 术语缩写对照
附录B 简要说明
参考文献