哈利•杰•莱文森（Harry J.Levinson)，国际光学工程学会（SPIE）会士，HJL Lithography 的独立光刻顾问和首席光刻师，专注于光刻领域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM担任过职位。曾将光刻应用于许多不同的技术，包括双极存储器、64MB和256MB DRAM开发、专用集成电路芯片制造、磁记录薄膜磁头、闪存和先进逻辑芯片等。曾数年担任美国光刻技术工作组主席，参与制定了《国际半导体技术路线图》中有关光刻技术的章节。他是硅谷首批SVG-5倍步进式光刻机的用户之一，也是248nm、193nm和极紫外光刻的早期参与者；撰写的著作还有：《光刻工艺控制》《光刻原理》，拥有70多项美国专利。

第1章 绪论

1.1  光刻技术的历史背景/1 

1.2  光刻技术的组成部分 /3 

1.3  材料考量和多层膜反射镜/4 

1.4  一般性问题 /11 

习题/12 

参考文献/12

第2章  EUV光源

2.1  激光等离子体光源/15 

2.2  放电等离子体光源/28 

2.3  自由电子激光器/32 

习题/36 

参考文献/36

第3章  EUV光刻曝光系统

3.1  真空中的EUV光刻/40 

3.2  照明系统 /45 

3.3  投影系统/47 

3.4  对准系统/52 

3.5  工件台系统/53 

3.6  聚焦系统 /54 

习题/55 

参考文献/56

第4章  EUV掩模

4.1  EUV掩模结构/60 

4.2  多层膜和掩模基板缺陷/66 

4.3  掩模平整度和粗糙度/71 

4.4  EUV掩模制作/74 

4.5  EUV掩模保护膜/75 

4.6  EUV掩模放置盒/83

4.7  其他EUV掩模吸收层与掩模架构/85 

习题/88 

参考文献/88

第5章  EUV光刻胶

5.1  EUV化学放大光刻胶的曝光机制/95 

5.2  EUV光刻中的随机效应/98 

5.3  化学放大光刻胶的新概念/108 

5.4  金属氧化物EUV光刻胶/110 

5.5  断裂式光刻胶/111 

5.6  真空沉积光刻胶/111 

5.7  光刻胶衬底材料/113 

习题/114 

参考文献/115

第6章  EUV计算光刻

6.1  传统光学邻近校正的考量因素/121 

6.2  EUV掩模的三维效应/125 

6.3  光刻胶的物理机理/133 

6.4  EUV光刻的成像优化/135 

习题/138 

参考文献/139

第7章  EUV光刻工艺控制

7.1  套刻/144

7.2  关键尺寸控制/149 

7.3  良率 / 151 

习题/155 

参考文献/156

第8章  EUV光刻的量测

8.1  掩模基板缺陷检测/160 

8.2  EUV掩模测评工具/163 

8.3  量产掩模验收工具/165 

8.4  材料测试工具/168 

习题/169 

参考文献/170

第9章  EUV光刻成本

9.1  晶圆成本 /173 

9.2  掩模成本/181 

习题/182 

参考文献/182

第10章 未来的EUV光刻

10.1  k【能走多低/184 

10.2  更高的数值孔径/186 

10.3  更短的波长/193 

10.4  EUV多重成形技术/194 

10.5  EUV光刻的未来/195 

习题/195 

参考文献/196

索 引