第1章 2008年以来的3D IC集成
1．1 3D IC命名法
1．2 工艺标准化
1．3 转接板（2．5 D）简介
1．4 晶圆代工厂
1．4．1 台积电
1．4．2 联华电子
1．4．3 格罗方德
1．5 存储器
1．5．1 三星
1．5．2 美光
1．5．3 海力士
1．6 组装和测试
1．7 3D IC应用路线图
参考文献
第2章 3D集成和转接板技术的主要应用和市场趋势
2．1 简介
2．2 先进封装在半导体行业中的重要性与日俱增
2．3 以3D集成为重点的活动——全球知识产权格局
2．4 应用、技术和市场趋势
参考文献
第3章 2．5D/3D集成的经济驱动因素和障碍
3．1 3D性能优势
3．2 减小尺寸的经济性
3．3 未来缩放的成本
3．4 成本仍然是2．5D和3D产品推出的障碍
3．4．1 在移动产品中使用转接板所需的经济性
3．4．2 硅转接板价格
参考文献
第4章 转接板技术
4．1 2．5 D转接板的定义
4．2 转接板驱动和需求
4．3 转接板材料的比较
4．4 具有TSV的硅转接板
4．5 低成本转接板
4． 5．1 玻璃转接板
4．5．2 低CTE有机转接板
4．5．3 多晶硅转接板
4．6 转接板技术和制造挑战
4．7 转接板应用实例
4．8 结论
参考文献
第5章 TSV制造综述
5．1 介绍
5．2TSV工艺方法
5．2．1 TSV-middle方法
5．2．2 背面TSV-last方法
5．2．3 正面TSV-last方法
5．3 TSV制造步骤
5．3．1 TSV刻蚀
5．3．2 TSV的绝缘
……
第6章 TSV单元工艺和集成
第7章 ASET的TSV制备
第8章 激光辅助晶圆加工：穿透衬底钻孔和再布线层沉积的新视角
第9章 临时键合材料的需求
第10章 临时键合和解键合——材料和方法的更新换代
第11章 ZoneBOND：临时键合和室温解键合技术的最新进展
第12章 TOK的临时键合和解键合
第13章 3M晶圆支撑系统
第14章 临时键合和解键合工艺流程的比较
第15章 减薄、通孔露头和背面工艺概述
第16章 薄硅片背面减薄和应力消除技术
第17章 通孔露头和背面处理工艺
第18章 切割、减薄和抛光
第19章 三维集成的键合和组装概述
第20章 台积电（TSMC）的键合与组装
第21章 STATS ChipPAC的TSV封装研究
第22章 Cu-Si02混合键合
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