佐藤淳一，毕业于京都大学工学研究科，并获得硕士学位。1978年开始就职于东京电气化学工业株式会社（现TDK），1982年开始就职于索尼公司。一直从事半导体和薄膜器件相关工艺的研究开发工作。在此期间，参与创建半导体技术公司，担任长崎大学兼职讲师、行业协会委员等职位，同时也是应用物理学会员。

朱光耀，毕业于南京大学微电子与固体电子学专业，博士学位。目前在南京邮电大学电子与光学工程学院，从事基础教学工作。

图解入门——功率半导体基础与工艺精讲（原书第3版）

本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为11章，分别是：功率半导体的全貌、功率半导体的基本原理、各种功率半导体的原理和作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅片、功率半导体制造工艺的特点、功率半导体生产企业介绍、硅基功率半导体的发展、挑战硅极限的碳化硅与氮化镓、功率半导体开拓的碳减排时代。
本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对功率半导体感兴趣的职场人士和学生阅读。

图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）

本书以图解的方式深入浅出地讲述了半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为12章，包括半导体制造工艺全貌、前段制程概述、清洗和干燥湿法工艺、离子注入和热处理工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、成膜工艺、平坦化 （CMP）工艺、CMOS工艺流程、后段制程工艺概述、后段制程的趋势、半导体工艺的新动向。本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、感兴趣的职场人士、学生等参考。

图解入门——功率半导体基础与工艺精讲（原书第3版）

前言
词语表述和阅读方法说明
第1章 功率半导体的全貌/
1-1功率半导体到底是什么/
1-2把功率半导体比作人的身体/
1-3身边的功率半导体/
1-4电子信息产业中功率半导体的定位/

1-5半导体器件中的功率半导体/
1-6晶体管构造的差异/
第2章 功率半导体的基本原理/
2-1半导体的基本原理/
2-2关于PN结/
2-3晶体管的基本原理/
2-4双极型晶体管的基本原理/
2-5MOS晶体管的基本原理/
2-6功率半导体的历史回顾/
2-7功率型MOSFET的登场/
专栏：单面与双面/
2-8双极型晶体管与MOSFET的结合——IGBT的登场/
2-9信号转换/
第3章 各种功率半导体的原理和作用/
3-1单向导通的二极管/
3-2大电流双极型晶体管/

3-3双向晶闸管/
3-4具有高速开关特性的功率型MOSFET/
3-5环保时代的IGBT/
3-6功率半导体课题的探索/
第4章 功率半导体的用途与市场/
4-1功率半导体的市场规模/
4-2电力基础设施与功率半导体/
4-3交通工具与功率半导体/
4-4汽车与功率半导体/
4-5办公与功率半导体/
4-6家用电器与功率半导体/
第5章 功率半导体的分类/
5-1按用途分类/
5-2按材料分类/
5-3按构造、原理分类/
5-4从额定参数看功率半导体/
第6章 用于功率半导体的硅片/
6-1硅片是什么/
6-2硅片的制造方法与差异/
6-3FZ硅晶体的特点/
6-4FZ硅片为何重要/
6-5硅材料的局限/

图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）

原书前言

半导体制造工艺全貌/

1-1半导体工艺简介/

1-2前段制程和后段制程的区别/

1-3循环型的前段制程半导体工艺/

1-4前端工艺和后端工艺/

1-5什么是硅晶圆？/

1-6硅晶圆是如何制造的？/

1-7硅的特性是什么？/

1-8硅晶圆所需的洁净度/

1-9硅晶圆在fab中的使用方法/

1-10晶圆的大直径化/

1-11与产品化相关的后段制程/

1-12后段制程使用的工艺是什么?/

2-1追求微细化的前段制程工艺/

2-2批量制造芯片的前段制程/

2-3在没有“等待”的工艺中进行必要的检查和监控/

2-4前段制程fab的全貌/

2-5fab的生产线构成——什么是Bay方式？/

2-6晶圆厂需要尽早提升良品率/

3-1始终保持洁净的清洗工艺/

3-2清洗方法和机理/

3-3基础清洗——RCA清洗/

3-4新清洗方法的例子/

3-5批量式和单片式之间的区别/

3-6吞吐量至关重要的清洗工艺/

3-7清洗后必不可少的干燥工艺/

3-8新的干燥工艺/

3-9湿法工艺和干法清洗/

4-1注入杂质的离子注入技术/

4-2需要高真空的离子注入工艺/

4-3用于不同目的的离子注入工艺/

4-4离子注入后的晶格恢复处理/

4-5各种热处理工艺/

4-6最新的激光退火工艺/

4-7LSI制造和热预算/

5-1复制图形的光刻工艺/

5-2光刻工艺的本质就是照相/

5-3推动微细化的曝光技术的演变/

5-4掩膜版和防尘薄膜/

5-5相当于相纸的光刻胶/

5-6涂布光刻胶膜的涂胶机/

5-7曝光后必需的显影工艺/

5-8去除不要的光刻胶灰化工艺/

5-9浸液曝光技术现状/

5-10什么是双重图形？/

5-11追求进一步微细化的EUV 技术/

5-12纳米压印技术/

6-1刻蚀工艺流程和刻蚀偏差/

6-2方法多样的刻蚀工艺/

6-3刻蚀工艺中不可或缺的等离子体/

6-4RF（射频）施加方式有什么不同？/

6-5各向异性的机理/

6-6干法刻蚀工艺的挑战/

7-1LSI功能不可或缺的成膜工艺/

7-2方法多样的成膜工艺/

7-3受基底形状影响的成膜工艺/

7-4直接氧化晶圆的氧化工艺/

7-5热CVD和等离子体CVD/

7-6金属膜所需要的溅射工艺/

7-7Cu（铜）布线不可缺少的电镀工艺/

7-8Low-k（低介电常数）膜所使用的涂布工艺/

7-9High-k栅极堆叠工艺/

7-10Cu/Low-k工艺/

8-1多层布线不可或缺的CMP工艺/

8-2采用先进光刻技术的CMP工艺/

8-3回归湿法工艺的CMP设备/

8-4消耗品多的CMP工艺/

8-5CMP的平坦化机理/

8-6应用于Cu/Low-k的CMP工艺/

8-7课题堆积如山的CMP工艺/

9-1什么是CMOS？/

9-2CMOS的效果/

9-3CMOS结构制造（之一）器件间隔离区域/

9-4CMOS结构制造（之二）阱形成/

9-5晶体管形成（之一）栅极形成/

9-6晶体管形成（之二）源极/漏极/

9-7电极形成（钨塞形成）/

9-8后端工艺/

10-1去除不良品的晶圆测试/

10-2使晶圆变薄的减薄工艺/

10-3切割出芯片的划片/

10-4粘贴芯片/

10-5电气连接的引线键合/

10-6封装芯片的注塑/

10-7产品的打标和引线成形/

10-8最终检验流程/