刘汉诚专著的《硅通孔3D集成技术》系统讨论用 于电子、光电子和MEMS器件的三维集成硅通孔（TSV ）技术的最新进展和未来可能的演变趋势，同时详尽 讨论三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和可能 的解决方案。通过介绍半导体工业中的纳米技术和三 维集成技术的起源和演变历史，结合当前三维集成关 键技术的发展重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄 晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸 点制作与组装技术、芯片／芯片键合技术、芯片／晶 圆键合技术、晶圆／晶圆键合技术、三维器件集成的 热管理技术以及三维集成中的可靠性等关键技术问题 ，最后讨论可实现产业化规模量产的三维封装技术以 及TSV技术的未来发展趋势。 《硅通孔3D集成技术》适合从事电子、光电子、 MEMS等器件三维集成研究工作的工程师、技术研发人 员、技术管理人员和科研人员阅读，也可以作为相关 专业大学高年级本科生和研究生的教材。

序 前言 致谢 导读 第1章 半导体工业的纳米技术和三维（3D）集成技术 1．1 引言 1．2 纳米技术 1．2．1 纳米技术起源 1．2．2 纳米技术重要的里程碑 1．2．3 石墨烯与电子工业 1．2．4 纳米技术的展望 1．2．5 摩尔定律：电子工业的纳米技术 1．3 三维集成技术 1．3．1 硅通孔（TSV）技术 1．3．2 三维集成技术的起源 1．4 三维硅集成技术的挑战和展望 1．4．1 三维硅集成技术 1．4．2 三维硅集成键合组装技术 1．4．3 三维硅集成技术面临的挑战 1．4．4 三维硅集成技术的展望 1．5 三维集成电路（3DIC）集成技术的潜在应用和挑战 1．5．1 3DIC集成技术的定义 1．5．2 移动电子产品的未来需求 1．5．3 带宽和wideI／O的定义 1．5．4 储存器的带宽 1．5．5 存储器芯片堆叠 1．5．6 wideI／O存储器 1．5．7 wideI／O动态随机存储器（DRAM） 1．5．8 wideI／O接口 1．5．9 2．5 D和3DIC集成（有源和无源转接板）技术 1．6 2．5 DIC最新进展（转接板）技术的最新进展 1．6．1 用作中间基板的转接板 1．6．2 用作应力释放（可靠性）缓冲层的转接板 1．6．3 用作载板的转接板 1．6．4 用作热管理的转接板 1．7 三维集成TSV无源转接板技术发展的新趋势 1．7．1 双面贴装空腔式转接板技术 1．7．2 有机基板开孔式转接板技术 1．7．3 设计案例 1．7．4 带有热塞或散热器的有机基板开孔式转接板技术 1．7．5 超低成本转接板技术 1．7．6 用于热管理的转接板技术 1．7．7 对于三维光发射二极管（LED）和SiP有埋入式微流道的转接板 1．8 埋人式3DIC集成 1．8．1 带应力释放间隙的半埋入式转接板 1．8．2 用于光电互连的埋入式三维混合IC集成技术 1．9 总结与建议 1．10 TSV专利 1．11 参考文献 1．12 其他阅读材料 1．12．1 TSV、3D集成和可靠性 1．12．2 3DMEMS和IC集成 1．12．3 半导体IC封装 第2章 硅通扎（TSV）技术 第3章 硅通孔（BV）：机械、热和电学行为 第4章 薄晶圆强度测量 第5章 薄晶圆拿持技术 第6章 微凸点制作、组装和可靠性 第7章 微凸点的电迁移 第8章 瞬态液相键合：芯片到芯片（C2C），芯片到晶圆（C2W），晶圆到晶圆（W2W） 第9章 三维集成电路集成的热管理 第10章 三维集成电路封装 第11章 三维集成的发展趋势 索引