目录
第1章 辐射环境与基本辐射效应 ………………………………………………001
1.1 空间辐射环境 …………………………………………………………001
1.2 基本辐射效应 …………………………………………………………010
本章参考文献 ……………………………………………………………………020
第2章 半导体器件的辐射效应损伤机理 ……………………………………021
2.1 总剂量效应对半导体器件的损伤机理 ……………………………022
2.2 单粒子效应对集成电路的损伤机理 ………………………………037
2.3 CMOS工艺辐射效应机理 ……………………………………………050
2.4 SiGe HBT BiCMOS工艺 ……………………………………………058
本章参考文献 …………………………………………………………………068
第3章 工艺抗辐射加固技术 ……………………………………………………071
3.1 CMOS工艺衬底选择 …………………………………………………073
3.2 CMOS工艺氧化工序 …………………………………………………076
3.3 CMOS三阱工艺 ………………………………………………………077
3.4 CMOS工艺尺寸对抗辐射性能的影响 ……………………………079
3.5 双极工艺优化技术 ……………………………………………………081
本章参考文献 …………………………………………………………………093
第4章 版图抗辐射加固技术 ……………………………………………………095
4.1 环栅晶体管 ……………………………………………………………095
4.2 单粒子闩锁版图加固 …………………………………………………112
4.3SiGe HBT 版图加固………………………………………………………115
本章参考文献 ……………………………………………………………………122
第5章电路抗辐射加固技术 ……………………………………………………123
5.1 模拟电路加固技术 ……………………………………………………124
5.2数字电路加固技术 ……………………………………………………136
5.3系统级加固技术 ………………………………………………………151
本章参考文献 …………………………………………………………………159
第6章模拟/混合信号集成电路加固技术实践研究 ………………………161
6.1 单粒子效应的仿真及建模技术 ………………………………………161
6.2 总剂量效应的仿真及建模技术 ………………………………………170
6.3 辐射加固标准数字单元库的开发设计 ……………………………180
6.4带隙基准源加固设计 …………………………………………………189
6.5 放大器与比较器加固设计 ……………………………………………204
6.6 锁相环加固设计 ………………………………………………………217
6.7 模拟开关加固设计 ……………………………………………………222
6.8 A/D、D/A转换器的加固设计…………………………………………228
本章参考文献……………………………………………………………………232
第7章 模拟/混合信号集成电路辐射测试技术 ……………………………234
7.1 模拟/混合信号电路测试系统 …………………………………………234
7.2 总剂量测试 ……………………………………………………………240
7.3 单粒子辐射测试 ………………………………………………………243
本章参考文献 ……………………………………………………………………245
第8章 模拟/混合信号集成电路抗辐射加固发展趋势 ……………………247
8.1需求分析 …………………………………………………………………247
8.2现状分析 …………………………………………………………………249
8.3发展趋势及挑战 ………………………………………………………250
本章参考文献……………………………………………………………………256
名词索引 …………………………………………………………………………………257
附录 部分彩图 ……………………………………………………………………259
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