董会宁，男，四川宝兴人，1990年本科毕业于四川大学.1995年硕士毕业于四川大学，2003年博士毕业于四川大学，2006-2007年在英国University of Dundee做访问学者。1995-2003年在四川师范大学任讲师、副教授；2003-2015年为重庆邮电大学教授，重庆市优秀中青年骨干教师，重庆市学术技术带头人后备人选，重庆市南岸区侨联副主席，重庆市党外知识分子联谊会理事；2015至今为成都师范学院教授。近年来主要从事掺过渡及稀土离子功能材料的光谱学及电子顺磁共振谱学的应用理论研究，在国际学术期刊上发表SCI论文百余篇。主持或参加多项国家或省部级等科研课题。获重庆市自然科学奖一等奖、三等奖各一次。
　　
　　邬劭轶，男，四川成都人，理学博士。2000年7月任四川大学副教授，2003年1月任电子科技大学教授，2006年7月受聘为电子科技大学博士生导师。讲授高等量子力学、固体波谱学等研究生课程和量子力学等本科生课程。承担国家自然科学基金、四川省学术与技术带头人培育基金等科研项目。研究兴趣为功能材料中过渡和稀土离子的局部结构和谱学性质。在Phys.Rev B、Opt Mater、J.Alloy Compd、Spectrochim. Acta A等国际著名刊物发表SCI论文百余篇。

　　《稀土和过渡离子自旋哈密顿参量的微扰理论》在前人工作基础上简要介绍了电子顺磁共振的基本原理、概念、理论描述以及自旋哈密顿理论，叙述了量子力学中微扰理论和方法。
　　《稀土和过渡离子自旋哈密顿参量的微扰理论》针对具有低Kramers双重态的稀土离子和立方下具有轨道单重基态的过渡离子等体系，建立了不同对称下自旋哈密顿参量的微扰公式，并应用于含这些杂质离子的相关功能材料，而涉及这些应用的工作大多引自作者近年发表的相关学术论文。
　　《稀土和过渡离子自旋哈密顿参量的微扰理论》共分为11章。第1章介绍晶体场理论和电子顺磁共振的基本理论。第2章介绍稀土离子光谱和自旋哈密顿理论。第3～7章介绍稀土离子微扰公式及其应用。第8～11章介绍过渡离子的高阶微扰理论及其应用。
　　《稀土和过渡离子自旋哈密顿参量的微扰理论》可供从事稀土或过渡离子材料研究的科技人员参考，也可供高等院校凝聚态物理、化学、材料科学及相关专业教师与研究生使用。